SamsungとIntelからメモリとSSDを埋める次世代の高速ストレージが登場

SamsungとIntelから、ほぼ時を同じくして新型の高速ストレージが発表されました。いずれのストレージもSSDよりも速い不揮発性メモリです。

Samsungはロンドンで開催されたCloud Expo Europe convention 2017で、Z-NAND採用のSSD「Z-SSD」に容量800GBのモデルがあることを発表しました。Z-NANDはメモリとSSDの間のデータ転送速度のギャップを埋めるべく開発されている不揮発性メモリで、2016年9月にソウルで行われたSamsung SSD Global Summit 2016で発表済みでした。今回、SmasungはフォームファクタがPCI-Express(PCIe 3.0×4)のZ-SSDの試作品を公開し、新たに詳細な転送速度を明らかにしています。

Digital Trendsによると、Z-SSDはV-NAND技術をベースに新コントローラーを採用しているとのこと。V-NAND技術で64層のメモリセルを垂直方向に積層することで記憶密度を向上させており、1つのメモリ・ダイは容量512Gbit(64GB)となっています。

同じくメモリ-SSDの間を埋める不揮発性メモリとしてIntelがMicronと開発していた3D XPointも、「Intel Optane(オプテイン)」として発表されました(ちなみにMicronは「QuantX (クアンテックス)」というブランド名を使う模様)。

PCI-Express接続の「Optane SSD DC P4800X」は、375GBモデルが2017年後半に市場に投入される予定。AnandTechによると予価は1520ドル(約17万円)となる見込み。なお、Optaneのメモリ・ダイ容量は128Gbit(16GB)です。

2018年以降、NVMeのSSDよりも高速な次世代ストレージがコンシューマー向けにも登場することになるのか、期待が高まります。個人的には速度を犠牲にしても良いので、早くHDDの容量単価を上回って欲しいところですが……。

Source:Digital TrendsAnandTech

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